Prevenirea falsificărilor și a defectelor
Inspecție vizuală și de ambalare
Verificarea performanței electrice
Email de serviciu:
[email protected]
>
SUP70060E-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB
1300 Piese Noi Originale În Stoc
N-Channel 100 V 131A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Cere ofertă
(Expedia mâine)
*Cantitate
Minim 1
Minim 1
5.0 / 5.0
- (53 Evaluări)
SUP70060E-GE3
Prezentare produs
12787500
DiGi Electronics Cod de parte
SUP70060E-GE3-DGProducător
Vishay Siliconix
SUP70060E-GE3
Descriere
MOSFET N-CH 100V 131A TO220ABInventar
1300 Piese Noi Originale În Stoc
N-Channel 100 V 131A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Cantitate
Minim 1
Minim 1
Achiziție și întrebare
Garanție și Retururi
Cum să comanzi
Expediere și Livrare
Asigurarea Calității
Garanție de calitate pentru 365 de zile - Fiecare piesă este complet garantată.
Returnare sau schimb de 90 de zile - Piese defecte? Fără bătăi de cap.
Stoc limitat, Comandă acum - Obține piese de încredere fără griji.
Transport Global și Ambalare Sigură
Livrare în întreaga lume în 3-5 zile lucrătoare
Pachetare Antistatice ESD 100%
Urmărire în timp real pentru fiecare comandă
Plată sigură și flexibilă
Card de credit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Transfer telegraphic (T/T) și altele
Toate plățile sunt criptate pentru securitate
SUP70060E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
Transistoare, FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Ambalare
Bulk
Serie
ThunderFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
131A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3330 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SUP70060
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Descarcă SUP70060E-GE3 Specificația produsului (PDF)
Fișa de date HTML
SUP70060E-GE3-DG
Fișe tehnice
SUP70060E
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Piese alternative
NUMĂRUL PARTEI
PRODUCĂTOR
CANTITATE DISPONIBILĂ
DiGi NUMĂR DE PARTE
PREȚ UNIC
TIP SUBSTITUT
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
decembrie 02, 2025
Die mobile Version der Website funktioniert einwandfrei und macht den Einkauf unterwegs einfach.
decembrie 02, 2025
Delivery is consistently rapid, which is critical for my operational needs.
decembrie 02, 2025
They regularly update us on shipment status, minimizing our need to follow up for information.
decembrie 02, 2025
The durability and craftsmanship of DiGi Electronics products are top-notch, making every purchase worthwhile.
decembrie 02, 2025
Reliable, fast, and high-quality—everything I look for in a provider.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Întrebări frecvente (FAQ)
Care sunt caracteristicile cheie ale MOSFET-ului Vishay SUP70060E-GE3?
SUP70060E-GE3 este un MOSFET cu canal N, având o tensiune de 100V și o capacitate de curent de 131A, ideal pentru aplicații de înaltă putere. Dispone de un Rds On scăzut (maxim 5,8 mΩ la 30A și 10V), o disipare de putere mare (200W) și este conceput pentru montaj pe orificiu prin tehnică through-hole în pachetul TO-220AB.
Este MOSFET-ul Vishay SUP70060E-GE3 potrivit pentru comutare cu curent ridicat și management de putere?
Da, acest MOSFET este ideal pentru comutarea cu curent ridicat, având un curent continuu de drenaj de 131A la 25°C și o disipare maximă de putere de 200W, fiind potrivit pentru surse de alimentare, drive-uri pentru motoare și alte aplicații exigente.
Care este intervalul de temperatură de funcționare al MOSFET-ului SUP70060E-GE3?
Dispozitivul funcționează eficient într-un interval de temperatură de la -55°C până la 175°C, asigurând performanță fiabilă în diverse condiții de mediu.
Este compatibil MOSFET-ul Vishay SUP70060E-GE3 cu tensiuni standard de comandă a pozei (gate drive)?
Da, poate fi controlat la o tensiune maximă de 10V pentru performanțe optime ale Rds On și comutare, fiind compatibil cu circuite obișnuite de driver pentru poartă utilizate în electronică de putere.
Cum susține Vishay SUP70060E-GE3 cerințele de conformitate și fiabilitate?
MOSFET-ul este conform cu standardele RoHS3 și vine ambalat în mod bulk, cu un nivel de sensibilitate la umiditate de nivel 1, asigurând calitate, siguranță și ușurință în manipulare pentru fabricare și reparație.
Asigurarea Calității (QC)
DiGi asigură calitatea și autenticitatea fiecărui component electronic prin inspecții profesionale și eșantionare batch, garantând proveniență fiabilă, performanță stabilă și conformitate cu specificațiile tehnice, ajutând clienții să reducă riscurile lanțului de aprovizionare și să utilizeze componentele cu încredere în producție.
SUP70060E-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SUP70060E-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
