SISF00DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12
3648 Piese Noi Originale În Stoc
90 - Da or Exchange - Defective par.7383 Pcs New Original In Stock7383 Pcs New Original In Stock
Request Quote (Ships tomorrow)
*Quantity
Minimum 1
SISF00DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (272 Evaluări)

SISF00DN-T1-GE3

Prezentare produs

12787103

DiGi Electronics Cod de parte

SISF00DN-T1-GE3-DG

Producător

Vishay Siliconix
SISF00DN-T1-GE3

Descriere

MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12

Inventar

3648 Piese Noi Originale În Stoc
Mosfet Array 30V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Cantitate
Minim 1

Achiziție și întrebare

Asigurarea Calității & Retururi

Garanție de calitate pentru 365 de zile - Fiecare piesă este complet garantată.

Returnare sau schimb de 90 de zile - Piese defecte? Fără bătăi de cap.

Stoc limitat, Comandă acum - Obține piese de încredere fără griji.

Transport Global și Ambalare Sigură

Livrare în întreaga lume în 3-5 zile lucrătoare

Pachetare Antistatice ESD 100%

Urmărire în timp real pentru fiecare comandă

Plată sigură și flexibilă

Card de credit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Transfer telegraphic (T/T) și altele

Toate plățile sunt criptate pentru securitate

În stoc (Toate prețurile sunt în USD)
  • CANTITATE Preț Țintă Preț total
  • 3000 0.5394 1618.2984
  • 6000 0.5305 3182.9940
  • 9000 0.5007 4506.2190
Preț mai bun prin cererea de ofertă online.
Cere ofertă(Expedia mâine)
Cantitate
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

SISF00DN-T1-GE3 Specificații tehnice

Categorie Transistoare, FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri

Producător Vishay

Ambalare Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET® Gen IV

Starea produsului Active

Tehnologie MOSFET (Metal Oxide)

Configurație 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Caracteristică FET -

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss) 30V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C 60A (Tc)

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 15V

Putere - Max 69.4W (Tc)

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare Surface Mount

Pachet / Carcasă PowerPAK® 1212-8SCD Dual

Pachet dispozitiv furnizor PowerPAK® 1212-8SCD Dual

Numărul de bază al produsului SISF00

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

SISF00DN-T1-GE3-DG

Fișe tehnice

SISF00DN

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL) 1 (Unlimited)
Starea REACH REACH info available upon request
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informații suplimentare

Alte nume
SISF00DN-T1-GE3CT
SISF00DN-T1-GE3DKR
SISF00DN-T1-GE3TR
Pachet standard
3,000

Întrebări frecvente (FAQ)

Care sunt principalele caracteristici și specificații ale array-ului de MOSFET-uri Vishay SISF00DN-T1-GE3?
Array-ul de MOSFET-uri Vishay SISF00DN-T1-GE3 este o matrice duală N-channel cu o tensiune maximă drenață-sursă de 30V și un curent continuu de drenață de 60A la 25°C, recomandată pentru aplicații de înaltă putere. Dispune de o rezistență Rds On scăzută (5mOhm) și funcționează într-un interval de temperatură de la -55°C până la 150°C, fiind ideal pentru sisteme electronice exigente.
Cum pot folosi array-ul de MOSFET-uri Vishay în proiecte electronice sau în proiectarea surselor de alimentare?
Acest array de MOSFET-uri este conceput pentru montaj pe suprafață și poate fi utilizat în gestionarea energiei, comutare și controlul sarcinilor. Configurația sa duală N-channel permite o gestionare eficientă a puterii și un design compact, fiind potrivit pentru surse de alimentare avansate și sisteme de control al motoarelor.
Este array-ul de MOSFET-uri Vishay compatibil cu scheme standard și alte componente electronice?
Da, pachetul PowerPAK® 1212-8SCD și caracteristicile electrice ale acestui array de MOSFET-uri asigură compatibilitatea cu scheme standard pe PCB și diverse componente electronice, facilitând integrarea în sisteme electronice existente sau noi.
Care sunt avantajele alegerii acestui array de MOSFET-uri Vishay față de alte dispozitive similare?
Acest array de MOSFET-uri oferă o rezistență Rds On redusă pentru eficiență energetică, o capacitate mare de curent continuu și o configurație duală fiabilă într-un pachet compact. Performanța termică robustă și conformitatea cu standardele RoHS asigură durabilitate și prietenoșenie față de mediu.
Cum pot achiziționa acest array de MOSFET-uri și ce suport este disponibil după cumpărare?
Array-ul Vishay SISF00DN-T1-GE3 este disponibil pentru cantități mari și este livrat în ambalaj Tape & Reel pentru automatizare facilă. Pentru suport tehnic, fișe tehnice și informații despre garanție, puteți contacta distribuitori autorizați sau serviciul clienți Vishay.
Certificare DiGi
Bloguri & Postări

SISF00DN-T1-GE3 CAD Models

productDetail