Prevenirea falsificărilor și a defectelor
Inspecție vizuală și de ambalare
Verificarea performanței electrice
Email de serviciu:
[email protected]
>
1N65G
UMW
SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET
3503 Piese Noi Originale În Stoc
N-Channel 650 V 1A (Tj) Surface Mount SOT-223
Cere ofertă
(Expedia mâine)
*Cantitate
Minim 1
Minim 1
5.0 / 5.0
- (250 Evaluări)
1N65G
Prezentare produs
12991441
DiGi Electronics Cod de parte
1N65G-DGProducător
UMW
1N65G
Descriere
SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETInventar
3503 Piese Noi Originale În Stoc
N-Channel 650 V 1A (Tj) Surface Mount SOT-223
Cantitate
Minim 1
Minim 1
Achiziție și întrebare
Garanție și Retururi
Cum să comanzi
Expediere și Livrare
Asigurarea Calității
Garanție de calitate pentru 365 de zile - Fiecare piesă este complet garantată.
Returnare sau schimb de 90 de zile - Piese defecte? Fără bătăi de cap.
Stoc limitat, Comandă acum - Obține piese de încredere fără griji.
Transport Global și Ambalare Sigură
Livrare în întreaga lume în 3-5 zile lucrătoare
Pachetare Antistatice ESD 100%
Urmărire în timp real pentru fiecare comandă
Plată sigură și flexibilă
Card de credit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Transfer telegraphic (T/T) și altele
Toate plățile sunt criptate pentru securitate
1N65G Specificații tehnice
Categorie
Transistoare, FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
UMW
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1A (Tj)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-223
Pachet / Carcasă
TO-261-4, TO-261AA
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Descarcă 1N65G Specificația produsului (PDF)
Fișa de date HTML
1N65G-DG
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Informații suplimentare
Alte nume
4518-1N65GCT
4518-1N65GDKR
4518-1N65GTR
Pachet standard
2,500
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
decembrie 02, 2025
Je suis convaincu par la qualité durable et abordable proposée par DiGi Electronics.
decembrie 02, 2025
The website’s speed and shipping efficiency make DiGi Electronics my preferred site.
decembrie 02, 2025
The durability and reliability of DiGi products have directly contributed to our customer satisfaction levels.
decembrie 02, 2025
Prompt shipping and friendly support made this a top-notch experience.
decembrie 02, 2025
The support team is very responsive and provides detailed assistance whenever needed.
decembrie 02, 2025
The prices at DiGi Electronics are unbeatable, offering great deals for tech enthusiasts.
decembrie 02, 2025
Their commitment to quality and prompt service makes shopping with DiGi Electronics a pleasure.
decembrie 02, 2025
The quick turnaround and the thoughtful packing process impressed me.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Întrebări frecvente (FAQ)
Care sunt principalele caracteristici ale tranzistorului MOSFET N-Channel UMW SOT-223 de putere?
Tranzistorul MOSFET N-Channel UMW SOT-223 de putere dispune de o tensiune de Rating de 650V, un curent continuu de drenaj de 1A și este potrivit pentru aplicații de montare pe suprafață. Este proiectat pentru voltaje ridicate și comutare eficientă în electronică de putere.
Cum se comportă tranzistorul MOSFET N-Channel UMW în circuite de înaltă tensiune?
Datorită unei tensiuni drenă-sursă de 650V, acest MOSFET este ideal pentru module de surse de alimentare de înaltă tensiune și surse de alimentare cu comutare, asigurând performanță fiabilă și pierderi minime de energie.
Este tranzistorul MOSFET UMW SOT-223 compatibil cu design-uri standard de circuite tip PCB cu montare pe suprafață?
Da, acest MOSFET este disponibil în pachet SOT-223, larg utilizat pentru aplicații de montare pe suprafață, fiind compatibil cu procesele standard de fabricație și asamblare a circuitelor imprimate.
Care sunt avantajele utilizării acestui tranzistor MOSFET N-Channel în proiecte electronice?
Acest MOSFET oferă o toleranță ridicată la voltaj, Rds(on) scăzut și un încărcare a poartelor redusă, contribuind la comutare energetic-eficientă și funcționare fiabilă în diverse dispozitive electronice și circuite de putere.
Respectă tranzistorul MOSFET N-Channel UMW SOT-223 standardele de mediu și siguranță?
Da, acest MOSFET este compatibil RoHS3, nu este afectat de REACH și are un nivel de sensibilitate la umiditate de tip 1, asigurând conformitatea cu reglementările moderne de mediu și siguranță pentru componente electronice.
Asigurarea Calității (QC)
DiGi asigură calitatea și autenticitatea fiecărui component electronic prin inspecții profesionale și eșantionare batch, garantând proveniență fiabilă, performanță stabilă și conformitate cu specificațiile tehnice, ajutând clienții să reducă riscurile lanțului de aprovizionare și să utilizeze componentele cu încredere în producție.
1N65G CAD Models
UMW 1N65G PCB symbols & footprints
productDetail
