Prevenirea falsificărilor și a defectelor
Inspecție vizuală și de ambalare
Verificarea performanței electrice
Email de serviciu:
[email protected]
>
RUM002N05T2L
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
372444 Piese Noi Originale În Stoc
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Cere ofertă
(Expedia mâine)
*Cantitate
Minim 1
Minim 1
5.0 / 5.0
- (114 Evaluări)
RUM002N05T2L
Prezentare produs
13525789
DiGi Electronics Cod de parte
RUM002N05T2L-DGProducător
Rohm Semiconductor
RUM002N05T2L
Descriere
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3Inventar
372444 Piese Noi Originale În Stoc
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Cantitate
Minim 1
Minim 1
Achiziție și întrebare
Garanție și Retururi
Cum să comanzi
Expediere și Livrare
Asigurarea Calității
Garanție de calitate pentru 365 de zile - Fiecare piesă este complet garantată.
Returnare sau schimb de 90 de zile - Piese defecte? Fără bătăi de cap.
Stoc limitat, Comandă acum - Obține piese de încredere fără griji.
Transport Global și Ambalare Sigură
Livrare în întreaga lume în 3-5 zile lucrătoare
Pachetare Antistatice ESD 100%
Urmărire în timp real pentru fiecare comandă
Plată sigură și flexibilă
Card de credit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Transfer telegraphic (T/T) și altele
Toate plățile sunt criptate pentru securitate
RUM002N05T2L Specificații tehnice
Categorie
Transistoare, FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
50 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
25 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
VMT3
Pachet / Carcasă
SOT-723
Numărul de bază al produsului
RUM002
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Descarcă RUM002N05T2L Specificația produsului (PDF)
Resurse de proiectare
VMT3M Inner Structure
Documente de fiabilitate
VMT3 MOS Reliability Test
Fișa de date HTML
RUM002N05T2L-DG
Fișe tehnice
RUM002N05T2L
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Informații suplimentare
Alte nume
RUM002N05T2L-ND
RUM002N05T2LCT
RUM002N05T2LDKR
RUM002N05T2LTR
Pachet standard
8,000
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
decembrie 02, 2025
Ich bin begeistert, wie transparent die Preise bei DiGi Electronics sind, das schafft Vertrauen.
decembrie 02, 2025
配送の正確さと梱包の丈夫さが印象的です。
decembrie 02, 2025
Every shopping experience confirms their dedication to quality and honest pricing.
decembrie 02, 2025
The company's attention to delivery deadlines has helped us avoid costly downtimes.
decembrie 02, 2025
Their customer support truly cares, making me feel valued and supported.
decembrie 02, 2025
Their prompt after-sales responses prevent minor issues from escalating.
decembrie 02, 2025
Reliability and kindness define my experience with DiGi Electronics.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Întrebări frecvente (FAQ)
Care este funcția principală a MOSFET-ului RUM002N05T2L?
MOSFET-ul RUM002N05T2L este un MOSFET cu canal N proiectat pentru aplicații de comutare și amplificare, capabil să gestioneze până la 50V și o curent de 200mA, fiind potrivit pentru circuite de gestionare a energiei.
Este MOSFET-ul RUM002N05T2L compatibil cu design-uri de plăci PCB cu montaj pe suprafață?
Da, acest MOSFET are un pachet SOT-723, potrivit pentru tehnologia de montaj pe suprafață, facilitând o integrare compactă și eficientă pe PCB.
Care sunt principalele avantaje ale utilizării MOSFET-ului RUM002N05T2L în proiecte electronice?
Acest MOSFET oferă o rezistență Rds On scăzută (maxim 2.2Ω la 200mA), o gamă largă de temperaturi de funcționare până la 150°C și respectă standardele RoHS3, asigurând performanță fiabilă și ecologică.
Poate MOSFET-ul RUM002N05T2L să opereze la temperaturi ridicate?
Da, este evaluat pentru funcționare continuă la temperaturi de până la 150°C, fiind adecvat pentru aplicații de înaltă temperatură și medii solicitante.
Cum se compară MOSFET-ul RUM002N05T2L în privința disipării de putere și eficienței?
Are o disipare maximă de putere de 150mW, contribuind la menținerea eficienței energetice în aplicații de comutare cu consum redus de energie, având o capacitate de input redusă pentru performanță de comutare rapidă.
Asigurarea Calității (QC)
DiGi asigură calitatea și autenticitatea fiecărui component electronic prin inspecții profesionale și eșantionare batch, garantând proveniență fiabilă, performanță stabilă și conformitate cu specificațiile tehnice, ajutând clienții să reducă riscurile lanțului de aprovizionare și să utilizeze componentele cu încredere în producție.
RUM002N05T2L CAD Models
Rohm Semiconductor RUM002N05T2L PCB symbols & footprints
productDetail
