Prevenirea falsificărilor și a defectelor
Inspecție vizuală și de ambalare
Verificarea performanței electrice
Email de serviciu:
[email protected]
>
NTR3A085PZT1G
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
2419460 Piese Noi Originale În Stoc
P-Channel 20 V 1.9A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Cere ofertă
(Expedia mâine)
*Cantitate
Minim 1
Minim 1
5.0 / 5.0
- (91 Evaluări)
NTR3A085PZT1G
Prezentare produs
12947185
DiGi Electronics Cod de parte
NTR3A085PZT1G-DGProducător
onsemi
NTR3A085PZT1G
Descriere
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIInventar
2419460 Piese Noi Originale În Stoc
P-Channel 20 V 1.9A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Cantitate
Minim 1
Minim 1
Achiziție și întrebare
Garanție și Retururi
Cum să comanzi
Expediere și Livrare
Asigurarea Calității
Garanție de calitate pentru 365 de zile - Fiecare piesă este complet garantată.
Returnare sau schimb de 90 de zile - Piese defecte? Fără bătăi de cap.
Stoc limitat, Comandă acum - Obține piese de încredere fără griji.
Transport Global și Ambalare Sigură
Livrare în întreaga lume în 3-5 zile lucrătoare
Pachetare Antistatice ESD 100%
Urmărire în timp real pentru fiecare comandă
Plată sigură și flexibilă
Card de credit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Transfer telegraphic (T/T) și altele
Toate plățile sunt criptate pentru securitate
NTR3A085PZT1G Specificații tehnice
Categorie
Transistoare, FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
77mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
586 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
420mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
-
Calificare
-
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3 (TO-236)
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Descarcă NTR3A085PZT1G Specificația produsului (PDF)
Fișa de date HTML
NTR3A085PZT1G-DG
Fișe tehnice
NTR3A085PZT1G Datasheet
Clasificare de Mediu și Export
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Informații suplimentare
Alte nume
2156-NTR3A085PZT1G-OS
2832-NTR3A085PZT1G
ONSONSNTR3A085PZT1G
Pachet standard
2,664
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
decembrie 02, 2025
적극적인 고객 지원 덕분에 긴급한 주문 요청도 신속하게 처리되어 업무 차질이 없었어요.
decembrie 02, 2025
I appreciated the detailed logistics updates, making the process transparent and stress-free, especially for such delicate components.
decembrie 02, 2025
I appreciate their focus on delivering products that truly last.
decembrie 02, 2025
Their eco packaging is both sustainable and practical.
decembrie 02, 2025
Support staff provided quick solutions, making my experience excellent.
decembrie 02, 2025
Great value for money! DiGi Electronics makes tech accessible to everyone.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Întrebări frecvente (FAQ)
Care este principalul domeniu de aplicare al MOSFET-ului P-Channel onsemi NTR3A085PZT1G?
Acest MOSFET P-Channel este potrivit pentru aplicații de comutare a semnalelor mici, managementul energiei și comutarea sarcinii în circuite electronice care necesită o tensiune de până la 20V între drenă și sursă.
Este compatibil MOSFET-ul onsemi NTR3A085PZT1G cu design-uri de circuite cu montare surface pe PCB?
Da, dispune de un pachet SOT-23-3 (TO-236), fiind ideal pentru aplicații compacte cu montare surface pe PCB și ușor de suda pe plăci moderne.
Care sunt principalele caracteristici electrice ale acestui MOSFET P-Channel?
Are un curent maxim de drenare continuu de 1,9A la 25°C, o rezistență Rds On (maxim) de 77mΩ la 1,6A și 4,5V Vgs, și o tensiune drenă-sursă de 20V, fiind potrivit pentru diverse sarcini de comutare cu tensiune scăzută.
Poate acest MOSFET P-Channel să funcționeze în medii cu temperaturi înalte?
Da, este evaluat pentru a funcționa de la -55°C până la 150°C, fiind adecvat pentru aplicații industriale și auto cu cerințe de temperaturi ridicate.
Care sunt avantajele utilizării MOSFET-ului onsemi NTR3A085PZT1G în proiectele electronice?
Acest MOSFET oferă o rezistență Rds On scăzută, o sarcină de poartă redusă și performanțe fiabile în pachete compacte, contribuind la gestionarea eficientă a energiei și la design-uri de dispozitive mai compacte.
Asigurarea Calității (QC)
DiGi asigură calitatea și autenticitatea fiecărui component electronic prin inspecții profesionale și eșantionare batch, garantând proveniență fiabilă, performanță stabilă și conformitate cu specificațiile tehnice, ajutând clienții să reducă riscurile lanțului de aprovizionare și să utilizeze componentele cu încredere în producție.
NTR3A085PZT1G CAD Models
onsemi NTR3A085PZT1G PCB symbols & footprints
productDetail
