Prevenirea falsificărilor și a defectelor
Inspecție vizuală și de ambalare
Verificarea performanței electrice
Email de serviciu:
[email protected]
>
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 Piese Noi Originale În Stoc
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Cere ofertă
(Expedia mâine)
*Cantitate
Minim 1
Minim 1
5.0 / 5.0
- (94 Evaluări)
IPP041N12N3GXKSA1
Prezentare produs
12803539
DiGi Electronics Cod de parte
IPP041N12N3GXKSA1-DGProducător
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Descriere
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3Inventar
200457 Piese Noi Originale În Stoc
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Cantitate
Minim 1
Minim 1
Achiziție și întrebare
Garanție și Retururi
Cum să comanzi
Expediere și Livrare
Asigurarea Calității
Garanție de calitate pentru 365 de zile - Fiecare piesă este complet garantată.
Returnare sau schimb de 90 de zile - Piese defecte? Fără bătăi de cap.
Stoc limitat, Comandă acum - Obține piese de încredere fără griji.
Transport Global și Ambalare Sigură
Livrare în întreaga lume în 3-5 zile lucrătoare
Pachetare Antistatice ESD 100%
Urmărire în timp real pentru fiecare comandă
Plată sigură și flexibilă
Card de credit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Transfer telegraphic (T/T) și altele
Toate plățile sunt criptate pentru securitate
IPP041N12N3GXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
Transistoare, FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Ambalare
Tube
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
120 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13800 pF @ 60 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP041
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Fișe tehnice
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informații suplimentare
Alte nume
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Pachet standard
50
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
decembrie 02, 2025
쇼핑 경험이 정말 뛰어나고, 제품의 내구성도 좋아서 추천합니다.
decembrie 02, 2025
Die Betreuung nach dem Kauf bei DiGi Electronics war vorbildlich. Bei einem Problem wurde mir umgehend eine Lösung angeboten.
decembrie 02, 2025
信頼できるサポートで、製品の長寿命化に役立っています。
decembrie 02, 2025
Their affordable prices make it easy to get dependable electronics without breaking the bank.
decembrie 02, 2025
Order tracking is seamless, providing real-time updates on delivery status.
decembrie 02, 2025
The entire delivery process, from packaging to logistics updates, was top-tier.
decembrie 02, 2025
Their packaging materials seem to be specially chosen to withstand rough handling, safeguarding my goods.
decembrie 02, 2025
The navigation experience is fluid, making shopping stress-free.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Întrebări frecvente (FAQ)
Care sunt principalele caracteristici ale MOSFET-ului N-Channel Infineon OptiMOS™ (IPP041N12N3GXKSA1)?
Acest MOSFET suportă o tensiune drain-to-sursa de 120V și un curent continuu de drain de 120A la 25°C, având o rezistență Rds On scăzută de 4,1 mΩ, fiind potrivit pentru aplicații de comutare de înaltă putere. Este conceput într-un pachet TO-220-3 pentru montaj facil și performanță fiabilă.
Pentru ce aplicații este potrivit acest MOSFET de 120V și 120A?
Acest MOSFET este ideal pentru convertoare de energie, acționări de motoare și circuite de comutare cu curent mare, unde gestionarea eficientă a energiei și performanța termică sunt critice. Designul său robust asigură durabilitate în sisteme electronice solicitante.
Este acest MOSFET N-Channel compatibil cu proiectele electronice existente?
Da, IPP041N12N3GXKSA1 este compatibil cu tensiunile de comandă standard pentru poarta și are un prag de poartă de 4V, fiind potrivit pentru diverse proiecte de surse de alimentare cu comutare și sisteme încorporate.
Care sunt avantajele alegerii MOSFET-urilor din seria OptiMOS™ de la Infineon?
MOSFET-urile OptiMOS™ sunt renumite pentru rezistența scăzută Rds On, eficiența înaltă și excelenta performanță termică, reducând disiparea de energie și sporind fiabilitatea generală a sistemului.
Ce tip de garanție și suport sunt disponibile pentru acest produs MOSFET?
Fiind un produs activ și conform cu standardele RoHS3, acesta beneficiază de suport din partea producătorului și de asigurarea calității. Este livrat direct din stoc, asigurând disponibilitate rapidă pentru proiectele dumneavoastră.
Asigurarea Calității (QC)
DiGi asigură calitatea și autenticitatea fiecărui component electronic prin inspecții profesionale și eșantionare batch, garantând proveniență fiabilă, performanță stabilă și conformitate cu specificațiile tehnice, ajutând clienții să reducă riscurile lanțului de aprovizionare și să utilizeze componentele cu încredere în producție.
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
productDetail
