DMG1012UW-7 Diodes Incorporated
4.9 / 5.0 - (447 Evaluări)

DMG1012UW-7

Prezentare produs

12884551

DiGi Electronics Cod de parte

DMG1012UW-7-DG

Producător

Diodes Incorporated
DMG1012UW-7

Descriere

MOSFET N-CH 20V 1A SOT323

Inventar

176434 Piese Noi Originale În Stoc
N-Channel 20 V 1A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SOT-323
FET-uri simple, MOSFET-uri
DMG1012UW-7 Foaie de date
Cantitate
Minim 1

Achiziție și întrebare

CERERE OFERTĂ (Cerere de Oferte)

Puteți trimite cererea dvs. RFQ direct pe pagina detalii produs sau pe pagina RFQ. Echipa noastră de vânzări va răspunde cererii dvs. în termen de 24 de ore.

Metodă de plată

Oferim mai multe metode de plată convenabile, inclusiv PayPal (recomandat pentru clienții noi), carduri de credit și transferuri bancare (T/T) în USD, EUR, HKD și altele.

AVIS IMPORTANT

După ce trimiteți RFQ, veți primi un email în căsuța dumneavoastră poștală despre primirea cererii dumneavoastră. Dacă nu îl primiți, adresa noastră de email ar putea fi identificată greșit ca spam. Vă rugăm să verificați folderul de spam și să adăugați adresa noastră de email [email protected] pe lista dumneavoastră albă pentru a vă asigura că primiți cotația noastră. Datorită posibilității fluctuațiilor de inventar și preț, echipa noastră de vânzări trebuie să reconfirme cererea sau comanda dumneavoastră și să vă trimită orice actualizări prin email într-un mod prompt. Dacă aveți alte întrebări sau aveți nevoie de ajutor suplimentar, vă rugăm să ne comunicați.

În stoc (Toate prețurile sunt în USD)
  • CANTITATE Preț Țintă Preț total
  • 3000 0.0171 51.3000
  • 6000 0.0171 102.6000
  • 9000 0.0171 153.9000
  • 30000 0.0171 513.0000
  • 75000 0.0171 1282.5000
  • 150000 0.0171 2565.0000
Preț mai bun prin cererea de ofertă online.
Cere ofertă(Expedia mâine)
Cantitate
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

DMG1012UW-7 Specificații tehnice

Categorie FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător Diodes Incorporated

Ambalare Tape & Reel (TR)

Serie -

Starea produsului Active

Tip FET N-Channel

Tehnologie MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss) 20 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C 1A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs 0.74 nC @ 4.5 V

Vgs (Max) ±6V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds 60.67 pF @ 16 V

Caracteristică FET -

Disiparea puterii (max) 290mW (Ta)

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor SOT-323

Pachet / Carcasă SC-70, SOT-323

Numărul de bază al produsului DMG1012

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Descarcă DMG1012UW-7 Specificația produsului (PDF)
Fișa de date HTML

DMG1012UW-7-DG
Fișe tehnice

DMG1012UW

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL) 1 (Unlimited)
Starea REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095

Informații suplimentare

Alte nume
DMG1012UW-7DICT
DMG1012UW7
DMG1012UW-7DIDKR
DMG1012UW-7DITR
Pachet standard
3,000
Certificare DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Produse Asemănătoare
Bloguri & Postări
Analiză aprofundată a industriei globale de distribuție a semiconductorilor din 2024: clasamente, schimbări de piață și tendințe viitoare
iul. 17 2025
Celule de combustie cu hidrogen: Imaginarea unui viitor energetic mai ecologic
iul. 16 2025
Schimbarea capacității și modernizarea componentelor pasive (MLCC și inductoare): tendințe și aplicații
iul. 08 2025